<tr id="66666"><code id="66666"></code></tr>
<legend id="66666"><input id="66666"></input></legend><tr id="66666"></tr>
  • <s id="66666"><input id="66666"></input></s>
  • <legend id="66666"></legend>
  • 产品中心您当前的位置:首页 > 产品中心 > 吉时利KEITHLEY/泰克Tektronix > 源表 > TIVH02L氮化镓GaN/碳化硅SiC功率测量IsoVu光隔离

    基础信息Product information

    产品名称:氮化镓GaN/碳化硅SiC功率测量IsoVu光隔离

    产品型号:TIVH02L

    更新时间:2025-03-11

    产品简介:

    氮化镓GaN/碳化硅SiC功率测量IsoVu光隔离
    中国台湾孕龙ZEROPLUS一级代理商
    美国DESCO一级代理商
    德国科纳沃茨特KLEINWACHTER一级代理商
    日本爱斯佩克ESPEC一级代理商
    美国是德KEYSIGHT(原安捷伦Agilent电子事业部)特约经销商
    美国吉时利KEITHLEY特约经销商

    产品特性Product characteristics

    专业仪器设备和测试方案供应商——上海坚融实业有限公司JETYOO INDUSTRIAL & 坚友(上海)测量仪器有限公司JETYOO INSTRUMENTS,由前安捷伦Agilent【现 是德KEYSIGHT】产品技术支持工程师——坚 JET 和 吉时利KEITHLEY【现 泰克Tektronix】忠实用户使用工程师——融 YOO于2012年共同创立,志在破旧立新!*电子测量行业代理经销商只专业做商务销售,不专业做售前测试方案,不专业做售后使用培训的空白。我们的技术销售工程师均为本科以上学历,且均有10年以上仪器行业工作经验,专业为中国区用户提供仪器设备、测试方案、技术培训、设备维修、实验室建设和搬迁服务,为上?;厍患乙?strong>技术为导向的仪器设备综合服务商。


    代理经销品牌:
    中国台湾孕龙ZEROPLUS一级代理

    美国DESCO一级代理
    德国科纳沃茨特KLEINWACHTER一级代理

    日本爱斯佩克ESPEC一级代理
    美国是德KEYSIGHT(原安捷伦Agilent电子事业部)特约经销
    美国吉时利KEITHLEY特约经销

     

    氮化镓GaN/碳化硅SiC功率测量IsoVu光隔离探头TIVH02L

    IsoVu ® 探头具有业内*的 1 GHz 带宽、160 dB 或 100,000,000:1 的共模抑制比、60 kV 共模电压、± 2500 V 大差分范围和探头负载,是适合解决当今严苛功率测量挑战的工具。  

     

    氮化镓GaN/碳化硅SiC功率测量可能耗时较长且在某些情况下不可能实现。了解 Panasonic 等公司如何改用 IsoVu 来缩短上市时间。

     

    氮化镓GaN/碳化硅SiC功率测量IsoVu光隔离探头TIVH02L优化性能和效率

    功率设计的优势只有在开关电路、门极驱动电路及布局都正确设计和优化时才能实现。IsoVu 可用于:

    检定门驱动器、Vgs、Vds 和 Is

    检定高压侧和低压侧事件的时间对准

    优化和调整开关特点

     

    氮化镓GaN,碳化硅SiC功率损耗测量IsoVu光隔离探头TIVH02L

    型号 带宽 差分电压 共模电压 共模抑制比 光纤电缆长度 

    TIVH02

    200 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB

    100 MHz:100 dB 

    200 MHz:100 dB 3 米

     

    TIVH02L

    200 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB

    100 MHz:100 dB 

    200 MHz:100 dB 10 米

     

    TIVH05

    500 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB

    100 MHz:100 dB 

    500 MHz:80 dB 3 米 

     

    TIVH05L

    500 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB

    100 MHz:100 dB 

    500 MHz:80 dB 10 米

     

    TIVM1

    1 GHz ±50 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB

    100 MHz:120 dB 

    1 GHz:80 dB 3 米

     

    TIVH08

    800 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB

    100 MHz:100 dB 

    800 MHz:75 dB 3 米

     

    TIVM1L

    1 GHz ±50 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB

    100 MHz:120 dB 

    1 GHz:80 dB 10 米 

     

    TIVH08L

    800 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB

    100 MHz:100 dB 

    800 MHz:75 dB 10 米 

    留言框

    • 产品:

    • 您的单位:

    • 您的姓名:

    • 联系电话:

    • 常用邮箱:

    • 省份:

    • 详细地址:

    • 补充说明:

    • 验证码:

      请输入计算结果(填写阿拉伯数字),如:三加四=7

    上一篇:爱斯佩克ESPEC高低温湿热冷热冲击试验方案

    下一篇:耐压绝缘接地电阻泄漏电流安规测试系统方案

    国产无套内射普通话对白 <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链>